深紫外led项目介绍
深紫外led芯片项目，依托中科院半导体所在氮化物深紫外led领域十余年的研究成果，由潞安集团、中科院半导体所技术团队、长治市人民政府共建，分别建设年产3000万颗紫外led芯片生产线、以及半导体技术研究院。
项目概况
本项目核心主体包括山西中科潞安紫外光电科技有限公司（以下简称“紫外光电公司”）和山西中科潞安半导体技术研究院有限公司（以下简称“半导体研究院”）。
1、紫外光电公司
注册资本4亿元，位于长治高新区漳泽工业园，一期建设年产3000万颗紫外led芯片项目，主要开展紫外led芯片,以及金属有机化合物气相沉积设备、紫外杀菌设备的生产和销售。建成后将成为全球第一条规模化生产线，在国内外产生重大的影响力。
2、半导体研究院
研究院注册资本2亿元，位于长治高新区漳泽工业园。研究院是创新技术研发平台，拟实现5大服务功能，包括前沿半导体技术、高端应用产品开发与设计、对外检验检测、行业标准制定以及成果转化孵化。研究院将通过技术研发和科技服务的协同创新，加快技术、产业、资金、人才等创新要素的快速集聚，打造国家级创新平台，致力于建设成为氮化物半导体产业的创新策源地、人才集聚地和技术辐射地创新成功地，支撑潞安深紫外led的生产和发展。
[责任编辑：崔婷婷]
